前言
在功率器件领域,TO-252封装的MOS管因紧凑尺寸与性价比优势成为工业场景的主流选择。合科泰HKTD80N06通过单芯片工艺革新,在标准封装内实现性能突破,为新能源、工业控制等领域提供“高可靠、低阻抗、易散热”的核心器件,助力B端客户提升产品竞争力。
单芯片工艺突破:重新定义TO-252性能极限
依托合科泰自研的平面栅工艺与先进封装技术,HKTD80N06在TO-252标准封装内实现单芯片80A连续漏极电流承载能力,突破传统单管电流瓶颈。通过优化源漏极结构与铜引脚直连技术,器件导通电阻低至8mΩ@10V,同时采用底部全覆盖焊盘设计,热阻RθJC低至5.5℃/W,较同封装竞品散热效率提升30%。在新能源电动工具场景中,某厂商采用该器件驱动无刷电机,凭借180mJ雪崩能量与240A脉冲电流能力,有效应对电机启停浪涌,产品返修率从3%降至0.5%,同时因单芯片设计减少外围元件,驱动模块成本降低20%。
低温键合与智能质控:工业级可靠性保障
针对工业环境对器件寿命的严苛要求,HKTD80N06采用300℃低温共晶焊工艺,替代传统高温锡焊,减少对栅氧化层的热损伤,经-55~150℃全温域测试,导通电阻漂移≤5%,栅极电荷Qg波动<±1nC。生产端引入AI视觉检测与128通道红外测温,键合良率达99.8%,并通过100%X-Ray扫描确保引线键合强度>5g。在智能水表阀门驱动电路中,其-15℃低温启动性能与宽温域稳定性,使北方严寒地区设备故障率下降60%,成为工业自动化领域的可靠选择。
全链路服务:从研发到量产的效率赋能
合科泰为B端客户提供敏捷供应链支持:常规型号5天现货,紧急订单3天打样,并可根据需求提供定制化参数调整,如调整栅极阈值电压适应特定驱动电路。技术团队同步提供免费的PCB布局建议与热设计方案,帮助客户缩短研发周期30%。通过车规级质控体系,HKTD80N06通过1000小时高温反偏测试(125℃),批次不良率低于行业平均水平10倍,为新能源汽车配套、工业电源等场景提供稳定产能保障。
公司介绍
合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。产品包括:
1、半导体封装材料;2、被动元件,主要有:电阻、电容、电感;3、半导体分立器件,主要有:MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件,电源管理IC及其他集成电路等。
合科泰设有两个智能生产制造中心:
1、中国华南地区的制造中心,位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区,建筑面积75000㎡,拥有先进设备及检测仪器1000多台,在当地配套集团物流配送中心,而东莞塘厦生产中心为目前生产基地;
2、中国西南地区的制造中心,位于四川省南充市顺庆区科创中心,厂房面积35000㎡,拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台;
2024年合科泰全面拓宽产品线,在四川南充成立三家子公司,分别是顺芯半导体、南充安昊、南充晶科,主要负责研发生产半导体封装材料;产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。
合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针,为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。
合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备,拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。
合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。
产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。
-
MOS管
+关注
关注
109文章
2634浏览量
71240 -
功率器件
+关注
关注
42文章
1947浏览量
92991 -
合科泰
+关注
关注
3文章
127浏览量
749
原文标题:TO-252封装的高性能MOS管工业优选
文章出处:【微信号:合科泰半导体,微信公众号:合科泰半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
合科泰MOS管在低功耗DC转换器中的应用
TO-252器件入门指南
合科泰NMOS管HKTD5N50产品介绍
合科泰MOS管在智慧照明中的应用

TO-252封装产品,为智能插座提供全场景解决方案

合科泰MOS管HKTD20N06产品介绍
合科泰MOS管HKTQ30P03的应用场景
合科泰MOS管AO9435的应用场景
合科泰PMOS管AO4435的特性和应用

评论